三星采用20 nm制程,预计在2015年占超过50%的产值

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三星电子开始大规模生产的DRAM内存使用20 nm制程技术在2014年。 节点技术将被采用的供应商50%以上整体DRAM产值在2015年,据业内人士称。

与此同时,同伴DRAM公司SK海力士和微米技术都是准备他们的技术过渡到2015年的20nm,消息人士说。 然而,20 nm芯片的实际输出两个供应商的发展将取决于其生产产量率。

此外,DRAM内存使用价格25 nm和28 nm制程技术很可能会在2015年大幅下跌!20 nm DRAM芯片的全球产出的扩张,消息人士表示。
DRAMeXchange还评论说,公司采用25 nm或28 nm的DRAM输出,他们对2015年的盈利能力可能受到影响,由于价格下跌25 nm和28 nm芯片。

例如,台积电和台湾DRAM芯片制造商的利润可能在2015年芯片价格下降的负面影响,因为28 nm DRAM产品主要生产节点,和台湾DRAM制造商主要使用30 nm和40 nm流程制造他们的产品,集邦科技说。

SK海力士将其20 nm制程技术准备量产DRAM芯片在2015年上半年,据知情人士。 SK海力士已经加大生产DRAM使用25 nm。

还有其他消息,一月份主流4 gb DDR3内存模块下半年跌至3.38美元的,2015,较2014年底的水平下降了5.85%,!
三星采用20 nm制程,预计在2015年占超过50%的产值

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