2024年3月27日发(作者：柏小蕊)
ROM的分类 - 单片机
只读型存储器（ROM）是存储器中结构最简单的一种，它存储的信
息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息，所以
称为只读存储器。只读存储器常用于存储数字系统及计算机中不需改
写的数据，如数据转换表及计算机操作系统程序等。ROM存储的数据
不会因断电而消失，即具有非易失性。
ROM一般需要由专用装置写入数据。按数据写入方式特点不同，ROM
可分为以下几种。
（1）固定ROM。也称掩膜ROM，这种ROM在制造时，厂家利用掩膜
技术直接把数据写入存储器中，ROM制成后，其存储的数据也就固定
不变了，用户对这类芯片无法进行任何修改。
（2）一次性可编程ROM(PROM)。PROM在出厂时，存储内容全为1
（或全为0），用户可根据自己的需要，利用编程器将某些单元改为0
（或）1。PROM一旦进行了编程，就不能再修改了。
（3）光可擦出可编程ROM(EPROM)。EPROM是采用浮栅技术产生的
可编程存储器，它的存储单元可多采用N沟道叠栅MOS管，信息的存
储是通过MOS管上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入
的过程。编程结束后，尽管撤出了电源，但是，由于绝缘层的包围，
注入到浮栅上的电荷无法泄露，因此电荷分布维持不变，EPROM也就
成为非易失性存储器件了。
当外部能源（如紫外线光源）加到EPROM上时，EPROM内部的电荷
分布才会被破坏，此时聚集在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照射下形
1
成光电流被泄露掉，使电路恢复到初始状态，从而擦出了所有写入的
信息。这样EPROM又可以写入新的信息。
（4）电可擦除可编程ROM(E2PROM)。E2PROM也是采用浮栅技术生
产的可编程ROM,但是构成其存储单元的是隧道MOS管，隧道MOS管
也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的，不同的是隧道MOS管
是用电擦除的，并且擦除的速度要快得多（一般为ms数量级）。
E2PROM的电擦除过程就是改写过程。它具有ROM的非易失性，又
具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。目
前大多数E2PROM芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源
供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试
提供了极大方便。
（5）快闪存储器（flash memory）。快闪存储器的存储单元也是采
用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入时分开进行的，数据写
入方式与EPROM相同，需要输入一个较高的电压，因此要为芯片提供
两组电源。一个字的写入时间约为200μs，一般一只芯片可以擦除/
写入100万次以上。
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2024年3月27日发(作者：柏小蕊)
ROM的分类 - 单片机
只读型存储器（ROM）是存储器中结构最简单的一种，它存储的信
息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息，所以
称为只读存储器。只读存储器常用于存储数字系统及计算机中不需改
写的数据，如数据转换表及计算机操作系统程序等。ROM存储的数据
不会因断电而消失，即具有非易失性。
ROM一般需要由专用装置写入数据。按数据写入方式特点不同，ROM
可分为以下几种。
（1）固定ROM。也称掩膜ROM，这种ROM在制造时，厂家利用掩膜
技术直接把数据写入存储器中，ROM制成后，其存储的数据也就固定
不变了，用户对这类芯片无法进行任何修改。
（2）一次性可编程ROM(PROM)。PROM在出厂时，存储内容全为1
（或全为0），用户可根据自己的需要，利用编程器将某些单元改为0
（或）1。PROM一旦进行了编程，就不能再修改了。
（3）光可擦出可编程ROM(EPROM)。EPROM是采用浮栅技术产生的
可编程存储器，它的存储单元可多采用N沟道叠栅MOS管，信息的存
储是通过MOS管上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入
的过程。编程结束后，尽管撤出了电源，但是，由于绝缘层的包围，
注入到浮栅上的电荷无法泄露，因此电荷分布维持不变，EPROM也就
成为非易失性存储器件了。
当外部能源（如紫外线光源）加到EPROM上时，EPROM内部的电荷
分布才会被破坏，此时聚集在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照射下形
1
成光电流被泄露掉，使电路恢复到初始状态，从而擦出了所有写入的
信息。这样EPROM又可以写入新的信息。
（4）电可擦除可编程ROM(E2PROM)。E2PROM也是采用浮栅技术生
产的可编程ROM,但是构成其存储单元的是隧道MOS管，隧道MOS管
也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的，不同的是隧道MOS管
是用电擦除的，并且擦除的速度要快得多（一般为ms数量级）。
E2PROM的电擦除过程就是改写过程。它具有ROM的非易失性，又
具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。目
前大多数E2PROM芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源
供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试
提供了极大方便。
（5）快闪存储器（flash memory）。快闪存储器的存储单元也是采
用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入时分开进行的，数据写
入方式与EPROM相同，需要输入一个较高的电压，因此要为芯片提供
两组电源。一个字的写入时间约为200μs，一般一只芯片可以擦除/
写入100万次以上。
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