2024年3月31日发(作者：绍颖馨)
13.1 校准综测的基本原理
13.1.1校准 、综测的目的
现在生产的相同型号手机虽然使用都是相同器件,但这相同器件还是有的一定的偏差,由此组合
的手机就必然存在着差异,但这差异是在一定的范围,超出了就视为手机不良。因此校准的目的就是将手
机的这种差异调整在符合国标的范围，而综测是对于校准的检查，因为校准无法对手机的每个信道，每
个功率级都进行调整，只能选择有代表性的（试验经验点）进行，所以校准通过的手机并不能肯定它是
良品，只有通过综测检验合格的才算是，我们现在生产线上的校准综测测试程序都是将这两个部分合并
（除了DA8和EMP平台）。
13.1.2手机的基本校准、测试项的介绍
1、Battcal（电池校准）：是对手机的电池模拟使用的调整，分两种情况（4.2V和3.5V）。
恒9系列和Florence平台的校准相似，先调整手机电池处在4.2V时的偏置值，使其冲手机读取的电压表
示值在4.2±0.1v的范围，然后将电池的电压调至3.5v，看电压是否还处于3.5±0.1v的范围，是就将这偏置
值存入手机。
2、TxCal（发射机校准）：不同的平台有不同的校准方法，但其大致的原理是一样的。就是通过一定的方
法调整在一个或者几个试验经验点（全部功率级）的功率值的表示值，使其符合国标的要求。这表示值
可以是一个单一的数字，也可以是一组，像A6/A8系列的就是多个经验点（GSM900有10,60,105,1000
这4个信道，DCS1800有570,700,800这3个信道）全功率级（即GSM900有5-19，DCS1800有0-15）单
一的数值，而恒9系列和Florence平台则是单个经验点（GSM900有62，DCS1800有698）的全功率级代
表该功率级的一组功率曲线的表示值。
在这就目前使用的两种PA将校准做个详细的介绍
一）RFMD
a)、发射机及其校准原理
NVM RAM
TXP
功率波形记
录
Figure 1: Transmitter and Calibration
CSP
RF signal
PA
LPF
Power Ramp
Registers
DAC
V
APC
计算波形数据 测量仪
器、工具
PM Measure
Instrument
在发射机中，从CSP产生的已调信号，经过HD155148的混频、射频放大，再经功率放大器（PA）放
大、滤波后从天线发送出去。发送信号的功率和形状（burst shape）由PA决定，这里采取功率控制环来
控制发送信号的功率和形状。Tx校准原理就是通过测量计算得到一系列TXP值，去控制PA的增益，使
得不同PCL的发射信号满足规范的要求（绝对功率大小、相连PCL的功率、切换频谱、Burst Shape等）。
如图Figure 1 所示。
校准时，我们先根据写入手机的TXP值和测量得到的功率值PM，计算得到TXP和PM的关系曲线
Calculate Ramp data
L，再根据L对每个PCL所要求的功率值Pre
quire
的TXP值存到NVM即可。校准的关键是找到TX
d
计算出相
应
P和PM的关系曲线L，根据实验得到TXP和PM相应的电平V存在线性关系，因此我们只需要两个PCL
的对值（TXP，V）即可得到L。
b)、校准方法及公式
发射信号的形状如图Figure 2 所示，它包括三部分：Ramp Up、Mid-Burst、Ramp Down。其中Mid
-Burst 为平坦部分，决定着信号的功率。校准过程中，Mid-burst 可由TXP和PM的关系得到Mid-TXP，
而Ramp Up和Ramp Down用正弦曲线来逼近，见图Figure 3。
校准时，待发射信号直接通过cable耦合到测试仪器，负载为50Ohm，因此输出信号电平V（v）和输
出信号功率P（mW）满足Formula_
1。
Ramp UP和Ramp Down（Burst Shape除去Mid-Burst后的形状）用0到Pi的三次正弦函数模拟。如
图Figure 3，我们在该曲线上按时间均匀取32个点（element），element1到element5的值为0，element6
到element15的值按正弦函数给出。其他element的值对称得到。Formu
la_2
给
出了element5到element15
的值，其中T
e
=（e-15）*（48/13/2）us （每个element占半个bit，每个bit为48/13us），t=T-T
e
。
线性曲线L的斜率m和常数c由Formul
a_4
计算
得到，TXPH和TXPL由推荐值m0和c0计算得到（pl
H
→Prequ
ired
→Vrequ
ired
→TXP
H
），VH和VL由Formula_1
得到（PM
H
→V
H
）。
Figure 3: P
mW
vs Element
Bit0 Bit147 Time(bits)
Power(dBm)
Mid-Burst Power Level
R
a
m
p
U
P
Ramp Down
Figure 2: Burst Shape
2024年3月31日发(作者：绍颖馨)
13.1 校准综测的基本原理
13.1.1校准 、综测的目的
现在生产的相同型号手机虽然使用都是相同器件,但这相同器件还是有的一定的偏差,由此组合
的手机就必然存在着差异,但这差异是在一定的范围,超出了就视为手机不良。因此校准的目的就是将手
机的这种差异调整在符合国标的范围，而综测是对于校准的检查，因为校准无法对手机的每个信道，每
个功率级都进行调整，只能选择有代表性的（试验经验点）进行，所以校准通过的手机并不能肯定它是
良品，只有通过综测检验合格的才算是，我们现在生产线上的校准综测测试程序都是将这两个部分合并
（除了DA8和EMP平台）。
13.1.2手机的基本校准、测试项的介绍
1、Battcal（电池校准）：是对手机的电池模拟使用的调整，分两种情况（4.2V和3.5V）。
恒9系列和Florence平台的校准相似，先调整手机电池处在4.2V时的偏置值，使其冲手机读取的电压表
示值在4.2±0.1v的范围，然后将电池的电压调至3.5v，看电压是否还处于3.5±0.1v的范围，是就将这偏置
值存入手机。
2、TxCal（发射机校准）：不同的平台有不同的校准方法，但其大致的原理是一样的。就是通过一定的方
法调整在一个或者几个试验经验点（全部功率级）的功率值的表示值，使其符合国标的要求。这表示值
可以是一个单一的数字，也可以是一组，像A6/A8系列的就是多个经验点（GSM900有10,60,105,1000
这4个信道，DCS1800有570,700,800这3个信道）全功率级（即GSM900有5-19，DCS1800有0-15）单
一的数值，而恒9系列和Florence平台则是单个经验点（GSM900有62，DCS1800有698）的全功率级代
表该功率级的一组功率曲线的表示值。
在这就目前使用的两种PA将校准做个详细的介绍
一）RFMD
a)、发射机及其校准原理
NVM RAM
TXP
功率波形记
录
Figure 1: Transmitter and Calibration
CSP
RF signal
PA
LPF
Power Ramp
Registers
DAC
V
APC
计算波形数据 测量仪
器、工具
PM Measure
Instrument
在发射机中，从CSP产生的已调信号，经过HD155148的混频、射频放大，再经功率放大器（PA）放
大、滤波后从天线发送出去。发送信号的功率和形状（burst shape）由PA决定，这里采取功率控制环来
控制发送信号的功率和形状。Tx校准原理就是通过测量计算得到一系列TXP值，去控制PA的增益，使
得不同PCL的发射信号满足规范的要求（绝对功率大小、相连PCL的功率、切换频谱、Burst Shape等）。
如图Figure 1 所示。
校准时，我们先根据写入手机的TXP值和测量得到的功率值PM，计算得到TXP和PM的关系曲线
Calculate Ramp data
L，再根据L对每个PCL所要求的功率值Pre
quire
的TXP值存到NVM即可。校准的关键是找到TX
d
计算出相
应
P和PM的关系曲线L，根据实验得到TXP和PM相应的电平V存在线性关系，因此我们只需要两个PCL
的对值（TXP，V）即可得到L。
b)、校准方法及公式
发射信号的形状如图Figure 2 所示，它包括三部分：Ramp Up、Mid-Burst、Ramp Down。其中Mid
-Burst 为平坦部分，决定着信号的功率。校准过程中，Mid-burst 可由TXP和PM的关系得到Mid-TXP，
而Ramp Up和Ramp Down用正弦曲线来逼近，见图Figure 3。
校准时，待发射信号直接通过cable耦合到测试仪器，负载为50Ohm，因此输出信号电平V（v）和输
出信号功率P（mW）满足Formula_
1。
Ramp UP和Ramp Down（Burst Shape除去Mid-Burst后的形状）用0到Pi的三次正弦函数模拟。如
图Figure 3，我们在该曲线上按时间均匀取32个点（element），element1到element5的值为0，element6
到element15的值按正弦函数给出。其他element的值对称得到。Formu
la_2
给
出了element5到element15
的值，其中T
e
=（e-15）*（48/13/2）us （每个element占半个bit，每个bit为48/13us），t=T-T
e
。
线性曲线L的斜率m和常数c由Formul
a_4
计算
得到，TXPH和TXPL由推荐值m0和c0计算得到（pl
H
→Prequ
ired
→Vrequ
ired
→TXP
H
），VH和VL由Formula_1
得到（PM
H
→V
H
）。
Figure 3: P
mW
vs Element
Bit0 Bit147 Time(bits)
Power(dBm)
Mid-Burst Power Level
R
a
m
p
U
P
Ramp Down
Figure 2: Burst Shape