2024年4月6日发(作者：阮从雪)
FD6288
FD6288
概述
FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅
极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动
MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下
工作。
FD6288内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护
功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288
内置直通防止和死区时间，防
三相250V栅极驱动器
产品特点
悬浮绝对电压+250V
电源电压工作范围：4.8~20V
集成三个独立的半桥驱动
3.3V/5V输入逻辑兼容
内置直通防止功能
止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通，
有效保护功率器件。
FD6288内置输入信号滤波，防止输入噪
声干扰。
内置200ns死区时间
内置输入滤波功能
i
m
QFN24
封装
e
l
TSSOP20
i
n
应用
高低端通道匹配
输出与输入同相
三相直流无刷电机驱动
订购信息
产品名称
FD6288T
FD6288Q
封装形式
TSSOP20
QFN24
订货型号
FD6288T
FD6288Q
P
r
a
r
VCC/VBS欠压保护（UVLO）
y
输出电流+1.5A/-1.8A
FD6288
1.绝对最大额定值
（除非特殊说明，所有管脚均以COM作为参考点）
电压超过绝对最大额定值，可能会损坏芯片。芯片长久地工作在推荐的工作条件之上，可能会影响
其可靠性。不建议芯片在推荐的工作条件之上长期工作。
参数
高侧浮动绝对电压
高侧浮动偏移电压
高侧输出电压
低侧供电电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（HIN, LIN）
偏移电压压摆率范围
功率耗散@T
A
≤25C
结对环境的热阻
结温范围
储存温度范围
注意：在任何情况下，不要超过P
D
。
TSSOP20
QFN24
TSSOP-20
QFN24
符号
V
B1,2,3
V
S1,2,3
V
HO1,2,3
V
CC
V
LO1,2,3
V
IN
dV
S
/dt
P
D
P
D
R
thJA
R
thJA
T
j
T
stg
范围
-0.3～275
V
B1,2,3
-25～V
B1,2,3
+0.3
V
S1,2,3
-0.3～V
B1,2,3
+0.3
-0.3～25
-0.3～V
CC
+0.3
≤50
-0.3～V
CC
+0.3
≤1.25
≤3.0
≤42
≤100
≤150
单位
V
V
V
V
V
V
a
r
-55～150
最小值
V
S1,2,3
+4.8
-50(注2)
V
S1,2,3
4.8
0
0
最大值
V
S1,2,3
+20
250
250
V
B1,2,3
20
V
CC
V
CC
COM-2(注1)
i
n
符号
V
B1,2,3
V
S1,2,3
V
S1,2,3
V
HO1,2,3
V
CC
V
LO1,2,3
V
IN
3
建议不超过推荐的工作条件，或将绝对最大额定值设计为工作条件。
参数
高侧浮动绝对电压
静态高侧浮动偏移电压
动态高侧浮动偏移电压
高侧输出电压
低侧供电电压
低侧输出电压
环境温度
单位
V
V
V
V
V
V
V
P
r
逻辑输入电压（HIN, LIN）
T
A
-40 125 C
注1：V
S1,2,3
为（COM-2V）到250V时，HO正常工作。V
S1,2,3
为（COM-2V）到（COM-V
BS
）时，HO
逻辑状态保持。
注2：V
S1,2,3
为（COM-50V），宽50ns的瞬态负电压时，HO正常工作。
e
l
i
m
2. 推荐工作条件
（所有电压均以COM为参考点）
y
V/ns
W
W
C/W
C/W
C
C
2024年4月6日发(作者：阮从雪)
FD6288
FD6288
概述
FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅
极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动
MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下
工作。
FD6288内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护
功能，防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288
内置直通防止和死区时间，防
三相250V栅极驱动器
产品特点
悬浮绝对电压+250V
电源电压工作范围：4.8~20V
集成三个独立的半桥驱动
3.3V/5V输入逻辑兼容
内置直通防止功能
止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通，
有效保护功率器件。
FD6288内置输入信号滤波，防止输入噪
声干扰。
内置200ns死区时间
内置输入滤波功能
i
m
QFN24
封装
e
l
TSSOP20
i
n
应用
高低端通道匹配
输出与输入同相
三相直流无刷电机驱动
订购信息
产品名称
FD6288T
FD6288Q
封装形式
TSSOP20
QFN24
订货型号
FD6288T
FD6288Q
P
r
a
r
VCC/VBS欠压保护（UVLO）
y
输出电流+1.5A/-1.8A
FD6288
1.绝对最大额定值
（除非特殊说明，所有管脚均以COM作为参考点）
电压超过绝对最大额定值，可能会损坏芯片。芯片长久地工作在推荐的工作条件之上，可能会影响
其可靠性。不建议芯片在推荐的工作条件之上长期工作。
参数
高侧浮动绝对电压
高侧浮动偏移电压
高侧输出电压
低侧供电电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（HIN, LIN）
偏移电压压摆率范围
功率耗散@T
A
≤25C
结对环境的热阻
结温范围
储存温度范围
注意：在任何情况下，不要超过P
D
。
TSSOP20
QFN24
TSSOP-20
QFN24
符号
V
B1,2,3
V
S1,2,3
V
HO1,2,3
V
CC
V
LO1,2,3
V
IN
dV
S
/dt
P
D
P
D
R
thJA
R
thJA
T
j
T
stg
范围
-0.3～275
V
B1,2,3
-25～V
B1,2,3
+0.3
V
S1,2,3
-0.3～V
B1,2,3
+0.3
-0.3～25
-0.3～V
CC
+0.3
≤50
-0.3～V
CC
+0.3
≤1.25
≤3.0
≤42
≤100
≤150
单位
V
V
V
V
V
V
a
r
-55～150
最小值
V
S1,2,3
+4.8
-50(注2)
V
S1,2,3
4.8
0
0
最大值
V
S1,2,3
+20
250
250
V
B1,2,3
20
V
CC
V
CC
COM-2(注1)
i
n
符号
V
B1,2,3
V
S1,2,3
V
S1,2,3
V
HO1,2,3
V
CC
V
LO1,2,3
V
IN
3
建议不超过推荐的工作条件，或将绝对最大额定值设计为工作条件。
参数
高侧浮动绝对电压
静态高侧浮动偏移电压
动态高侧浮动偏移电压
高侧输出电压
低侧供电电压
低侧输出电压
环境温度
单位
V
V
V
V
V
V
V
P
r
逻辑输入电压（HIN, LIN）
T
A
-40 125 C
注1：V
S1,2,3
为（COM-2V）到250V时，HO正常工作。V
S1,2,3
为（COM-2V）到（COM-V
BS
）时，HO
逻辑状态保持。
注2：V
S1,2,3
为（COM-50V），宽50ns的瞬态负电压时，HO正常工作。
e
l
i
m
2. 推荐工作条件
（所有电压均以COM为参考点）
y
V/ns
W
W
C/W
C/W
C
C